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嵌入式Linux概念NOR/NAND Flash的区别

发布：贵阳达内培训
来源：达内新闻
时间：2020-09-08 17:34

不闪存支持XIP。这意味着代码可以直接在NOR Flash上运行，而无需复制到内存。这是因为NOR Flash的接口与RAM完全相同，可以随机访问任意地址的数据。 NOR Flash的读取效率非常高，但擦除和写入效率不高，而且NOR Flash的容量通常很小。

NAND Flash的擦除和写入效率高，容量大。一般来说，NOR Flash用于存储程序，NAND Flash用于存储数据。基于NAND Flash的设备通常也与NOR Flash组合存储程序。

闪存设备由擦除单元(也称为块)构成，在写入某块时，需要确认该块已被擦除。 NOR Flash的块大小范围为64KB~128KB NAND Flash的块大小范围为8KB~64KB，NOR Flash块的擦除/写入只需4S，NAND Flash块的擦除/写入只需2ms。

NOR Flash的块太大，不仅写入时间变长了，而且对于某个写入操作，NOR Flash有更多的删除操作——，特别是小的文件，例如一个文件只有1KB，但是为了保存它需要64KB~128KB

NOR Flash的接口与RAM完全相同，可以自由访问任意地址的数据。

NAND Flash的接口只包含几个I/O端子，需要串行访问。 NAND Flash通常以512字节为单位进行读写。因此，NOR Flash适用于运行程序，NAND Flash适用于存储数据。

如果容量相同，NAND Flash的大小会变小，对于空间要求苛刻的系统，NAND Flash会节省更多的空间。市场上NOR Flash的容量通常为1~4 MB (也有32mb的NOR Flash )，NANDFlash的容量为8~512MB。由于容量的不同，NOR Flash多用于存储程序，NAND Flash多用于存储数据。

关于闪存设备的可靠性，必须考虑位反转、坏块、可擦除次数这3点。所有闪存装置都遇到位反转问题：由于闪存特有的电气特性，因此在读取及写入数据时偶然发生一个或多个数据错误——的概率较低，且NAND Flash出现的概率远大于NOR Flash。如果位反转发生在重要的代码、数据中，系统可能会崩溃。

只需反转报告比特，重读即可的比特反转确实发生时，需要与之相应的错误检测/恢复措施。 NAND Flash发生比特反转的概率很高，建议使用EDC/ECC进行错误检测和恢复。

NAND Flash上面随机分布了坏块，在使用之前必须扫描坏块，以免使用。不这样做的话，产品可能会出现重大故障。 NAND Flash的每块可擦除次数通常为100000次左右，是NOR Flash的10倍。另外，由于NAND Flash的块大小通常为NOR Flash的1/8，因此NAND Flash的寿命远远超过NOR Flash。

linux对NOR、NAND Flash的软件支持已成熟。 NOR Flash通常使用jffs2文件系统，NAND Flash通常使用yaffs文件系统。此外，MTD驱动程序还实现了读取、写入和擦除，以及EDC/ECC验证。

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